光伏领域：在薄膜太阳能电池中，铟靶材可作为光吸收层形成用的溅射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太阳能电池，有助于提高太阳能电池的转换效率。

集成电路（IC）制造

用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。

优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。

溅射时间与沉积厚度

厚度监控：使用石英晶体微天平（QCM）实时监测薄膜沉积速率，结合靶材消耗速率（约 0.1~0.5 μm/min，与功率相关），控制溅射时间。

靶材利用率：避免过度溅射导致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 时需及时更换），通常平面靶材利用率约 30%~40%，旋转靶可提升至 60% 以上。

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