集成电路（IC）制造

用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。

优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。

存储环境控制

温湿度：存储于干燥、恒温环境（温度 15~25℃，湿度≤40% RH），避免铟靶吸潮氧化（铟在潮湿空气中易生成 In₂O₃薄膜，影响溅射效率）。

防尘防潮：用铝箔或真空袋密封包装，存放于洁净柜中，防止灰尘附着或与其他化学物质接触。

溅射气体控制

气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。

气压调节：

直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。

射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。

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