纯化技术

区熔法：一种通过熔化和重新结晶来纯化材料的方法，可有效去除铟中的杂质，提高其纯度。

电解精炼：利用电化学反应将铟从杂质中分离出来。将铟材料作为阳极，置于电解液中，通过施加电流使铟离子在阴极上沉积，从而得到高纯度的铟。

化学纯化：利用化学反应去除铟中的杂质，例如通过溶剂萃取和化学沉淀等方法，可有效分离和去除杂质，提高铟的纯度。

溅射气体控制

气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。

气压调节：

直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。

射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。

真空系统维护

腔体清洁：每次溅射后及时清理腔体内壁及基片台的铟沉积层（铟延展性强，易粘附在腔体表面，长期积累可能导致短路或影响真空度）。

可用棉签蘸取乙醇擦拭，或用软质刮刀轻轻刮除（避免损伤腔体涂层）。

真空泵保养：定期更换真空泵油（因铟蒸气可能污染泵油，建议每 200 小时检查一次），防止油液粘度升高影响抽气效率。

防护措施

个人防护：操作时佩戴防静电手套、护目镜，避免直接接触铟靶（铟金属，但粉尘吸入可能刺激呼吸道，需在通风良好环境下操作）。

防火防爆：铟粉或碎屑属于可燃固体（引燃温度约 200℃），需远离明火，废弃靶材及碎屑应收集于专用容器中，按危险废弃物处理。

电磁屏蔽：射频溅射时需确保设备接地良好，防止电磁辐射对操作人员或周边仪器的干扰。