粉末冶金法：通过将铟粉末在高温下压制和烧结成型，可有效控制杂质含量，能制造出形状复杂的靶材，制得的靶材具有较高的致密度和均匀性。

熔炼法：将铟材料加热至熔点以上，使其成为液态，然后通过铸模或其他成型工艺制造靶材，该方法简单快捷，但控制纯度和均匀性相对较难。

热压法：把铟粉末在高温和高压下压制成型，能够提高靶材的致密度和机械强度，同时有助于减少气孔和其他缺陷。

冷等静压法：利用液压介质在室温下对铟粉末施加均匀压力使其成型，可制造出高密度和均匀性的靶材，但需要后续的烧结处理来提高其机械性能。

化合物半导体器件

场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。

作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

. 光通信器件

应用：在光纤连接器、光调制器中作为镀膜材料，提升光学元件的信号传输效率和稳定性。

场景：数据中心高速光模块、5G 前传网络的光器件制造。