化合物半导体器件

场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。

作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

航空航天与国防科技

1. 红外探测与成像

用途：在红外焦平面阵列（IRFPA）中作为芯片互连材料（如铟柱倒装焊），实现探测器芯片与读出电路的高密度连接。

场景：军用夜视仪、卫星遥感设备、热成像仪等。

2. 高温真空器件

应用：在航空航天用真空电子器件（如行波管、磁控管）中作为密封材料或电极镀膜，利用铟的低蒸气压和抗腐蚀特性。

存储环境控制

温湿度：存储于干燥、恒温环境（温度 15~25℃，湿度≤40% RH），避免铟靶吸潮氧化（铟在潮湿空气中易生成 In₂O₃薄膜，影响溅射效率）。

防尘防潮：用铝箔或真空袋密封包装，存放于洁净柜中，防止灰尘附着或与其他化学物质接触。

功率与温度管理

溅射功率：

铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。

直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。

靶材冷却：

采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。

定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。